新闻
|
文章
|
资讯
|
行情
|
企业
|
wap手机版
|
article文章
|
首页
|
会员中心
|
保存桌面
|
手机浏览
武汉倾佳电子有限公司
BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模块替代英飞凌IGBT模块|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模块替...
网站首页
公司介绍
新闻中心
联系方式
企业列表
全力推动基本碳化硅(SiC)MOSFET加速革掉IGBT的命
新闻列表
暂无新闻
推荐企业新闻
华中倾佳全力推动电力电子行业SiC革IGBT命!
伺服驱动器中SiC碳化硅MOSFET逐步取代IGBT
全力推动基本碳化硅(SiC)MOSFET加速革掉IGBT的命
SiC碳化硅MOSFET持续替代IGBT
为什么在逆变焊机中SiC碳化硅MOSFET会全面革掉IGBT的命!
国产SiC-MOSFET碳化硅功率器件在西安电力电子市场应用
倾佳电子致力于推广国产SiC-MOSFET碳化硅功率器件
SiC碳化硅MOSFET升级替代IGBT业务推进
电机驱动器碳化硅 (SiC) MOSFET功率模块
新能源汽车电机驱动器碳化硅 (SiC) 功率模块
国产SiC碳化硅MOSFET功率器件可靠性及一致性如何确保?
倾佳致力于SiC碳化硅功率MOSFET国产化推进
倾佳电子致力于推动SiC碳化硅MOSFET功率模块国产化替代
为实现一个零碳地球做出贡献,迈向数字能源新时代!
基半SiC碳化硅MOSFET功率模块及分立器件,全力支持中国电力电子工业发展!
首页
>
联系方式
联系方式
公司名称:
武汉倾佳电子有限公司
公司地址:
武汉东湖新技术开发区
所在地区:
湖北/武汉市
公司电话:
公司传真:
电子邮件:
公司网址:
http://whsic.tpjde.com/
联 系 人:
杨茜 (女士)
部门(职位):
SiC碳化硅功率半导体 (业务总监)
微信公众号:
13266663313
复制
即时通讯:
在线状态:
当前离线
在线留言
管理入口
|
返回顶部
声明:
推平第为第三方互联网信息服务商,其经营者发布的所有信息,其真实性、准确性和合法性均由店铺经营者负责。
©2024 武汉倾佳电子有限公司 版权所有 技术支持:
推平第
访问量:0